व्हॅक्यूम कोटिंगची ओळख आणि सोपी समज (3)

स्पटरिंग कोटिंग जेव्हा उच्च-ऊर्जेचे कण घन पृष्ठभागावर भडिमार करतात, तेव्हा घन पृष्ठभागावरील कण ऊर्जा मिळवू शकतात आणि पृष्ठभागावर जमा होण्यासाठी बाहेर पडू शकतात.1870 मध्ये कोटिंग तंत्रज्ञानामध्ये स्पटरिंग इंद्रियगोचर वापरण्यास सुरुवात झाली आणि 1930 नंतर हळूहळू डिपॉझिशन रेट वाढल्यामुळे औद्योगिक उत्पादनात वापरली गेली.सामान्यतः वापरले जाणारे दोन-ध्रुव स्पटरिंग उपकरणे आकृती 3 मध्ये दर्शविली आहेत [दोन व्हॅक्यूम कोटिंग पोल स्पटरिंगचे योजनाबद्ध आकृती].सहसा जमा करावयाची सामग्री प्लेटमध्ये बनविली जाते - एक लक्ष्य, जे कॅथोडवर निश्चित केले जाते.सब्सट्रेट लक्ष्यापासून काही सेंटीमीटर अंतरावर असलेल्या लक्ष्य पृष्ठभागाच्या समोर असलेल्या एनोडवर ठेवला जातो.सिस्टीमला उच्च व्हॅक्यूममध्ये पंप केल्यानंतर, ते 10~1 Pa वायूने ​​(सामान्यत: आर्गॉन) भरले जाते आणि कॅथोड आणि एनोडमध्ये अनेक हजार व्होल्टचा व्होल्टेज लागू केला जातो आणि दोन इलेक्ट्रोड्समध्ये ग्लो डिस्चार्ज तयार होतो. .डिस्चार्जद्वारे निर्माण होणारे सकारात्मक आयन विद्युत क्षेत्राच्या क्रियेखाली कॅथोडवर उडतात आणि लक्ष्य पृष्ठभागावरील अणूंशी आदळतात.टक्कर झाल्यामुळे लक्ष्य पृष्ठभागावरून निसटलेले लक्ष्य अणूंना स्पटरिंग अणू म्हणतात आणि त्यांची ऊर्जा 1 ते दहापट इलेक्ट्रॉन व्होल्ट्सच्या श्रेणीत असते.थुंकलेले अणू थराच्या पृष्ठभागावर जमा करून फिल्म तयार करतात.बाष्पीभवन कोटिंगच्या विपरीत, थुंकी कोटिंग फिल्म सामग्रीच्या वितळण्याच्या बिंदूने मर्यादित नसते आणि ते डब्ल्यू, टा, सी, मो, डब्ल्यूसी, टीआयसी इत्यादी रीफ्रॅक्टरी पदार्थांना थुंकू शकते. स्पटरिंग कंपाऊंड फिल्म रिऍक्टिव्ह स्पटरिंगद्वारे थुंकली जाऊ शकते. पद्धत, म्हणजे, प्रतिक्रियाशील वायू (O, N, HS, CH, इ.) आहे

एआर वायूमध्ये जोडले जाते, आणि प्रतिक्रियाशील वायू आणि त्याचे आयन लक्ष्य अणू किंवा थुंकलेल्या अणूशी प्रतिक्रिया देऊन एक संयुग (जसे की ऑक्साईड, नायट्रोजन) संयुगे तयार करतात आणि सब्सट्रेटवर जमा होतात.इन्सुलेटिंग फिल्म जमा करण्यासाठी उच्च-फ्रिक्वेंसी स्पटरिंग पद्धत वापरली जाऊ शकते.सब्सट्रेट ग्राउंडेड इलेक्ट्रोडवर माउंट केले जाते, आणि इन्सुलेटिंग टार्गेट विरुद्ध इलेक्ट्रोडवर माउंट केले जाते.उच्च-फ्रिक्वेंसी वीज पुरवठ्याचे एक टोक ग्राउंड केलेले आहे आणि एक टोक जुळणारे नेटवर्क आणि डीसी ब्लॉकिंग कॅपेसिटरद्वारे इन्सुलेटिंग लक्ष्याने सुसज्ज असलेल्या इलेक्ट्रोडशी जोडलेले आहे.उच्च-वारंवारता वीज पुरवठा चालू केल्यानंतर, उच्च-फ्रिक्वेंसी व्होल्टेज सतत त्याची ध्रुवीयता बदलते.प्लाझ्मामधील इलेक्ट्रॉन आणि सकारात्मक आयन अनुक्रमे व्होल्टेजच्या सकारात्मक अर्ध्या चक्रात आणि नकारात्मक अर्ध्या चक्राच्या दरम्यान इन्सुलेट लक्ष्यावर आदळतात.इलेक्ट्रॉन गतिशीलता सकारात्मक आयनांपेक्षा जास्त असल्याने, इन्सुलेट लक्ष्याच्या पृष्ठभागावर नकारात्मक शुल्क आकारले जाते.जेव्हा डायनॅमिक समतोल गाठला जातो, तेव्हा लक्ष्य नकारात्मक पूर्वाग्रह संभाव्यतेवर असते, ज्यामुळे लक्ष्यावर सकारात्मक आयन स्पटरिंग चालू राहतात.मॅग्नेट्रॉन स्पटरिंगचा वापर नॉन-मॅग्नेट्रॉन स्पटरिंगच्या तुलनेत जवळपास प्रमाणाच्या क्रमाने डिपॉझिशन रेट वाढवू शकतो.